Физико-математические науки
INFLUENCE OF THE CONCENTRATION OF NANOCLUSTERS OF IMPURABLE MANGANESE ATOMS ON THE PARAMETERS OF AUTO-OSCILLATION OF THE CURRENT [ВЛИЯНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ НАНОКЛАСТЕРОВ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ МАРГАНЦА НА ПАРАМЕТРЫ АВТОКОЛЕБАНИЯ ТОКА]
- Информация о материале
- Категория: 01.00.00 Физико-математические науки
- Опубликовано: 07 ноября 2019
Sadullaev A.В., Umirov A.Р., Bobakulov F.А.
Email: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Sadullaev Aloviddin Bobakulovich - Candidate of Physics and Mathematics, Associate Professor;
Umirov Asror Pardaevich - Assistant,
DEPARTMENT OF ELECTRIC POWER ENGINEERING;
Bobakulov Farrukh Aloviddin ugli – Student,
DIRECTION: HEAT POWER ENGINEERING,
KARSHI ENGINEERING AND ECONOMIC INSTITUTE,
KARSHI, REPUBLIC OF UZBEKISTAN
Abstract: the article presents the results of a study of the effect of the concentration of nanoclusters of manganese impurities on the conditions of excitation and the parameters of the current self-oscillation in silicon under conditions of strong compensation. The optimal conditions for the excitation of stable current self-oscillations of the type of temperature-electric instability with specified physical parameters are determined. The possibilities of creating a new generation of highly sensitive multifunctional sensors of physical quantities based on highly compensated silicon with manganese nanoclusters are shown.
Keywords: highly compensated silicon, nanoclusters, self-oscillations of current, photosensitivity, spectral region.
Саъдуллаев А.Б., Умиров А.П., Бобакулов Ф.А.
Саъдуллаев Аловиддин Бобакулович - кандидат физико-математических наук, доцент;
Умиров Асрор Пардаевич – ассистент,
кафедра электроэнергетики;
Бобакулов Фаррух Аловиддин угли – студент,
направление: теплоэнергетика,
Каршинский инженерно-экономический институт,
г. Карши, Республика Узбекистан
Аннотация: в статье изложены результаты исследования влияния концентрации нанокластеров примесей марганца на условия возбуждения и параметров автоколебания тока в кремнии в условиях сильной компенсации. Определены оптимальные условия возбуждения стабильных автоколебаний тока типа температурно-электрической неустойчивости с заданными физическими параметрами. Показаны возможности создания нового поколения высокочувствительных многофункциональных датчиков физических величин на основе сильнокомпенсированного кремния с нанокластерами марганца.
Ключевые слова: сильнокомпенсированный кремний, нанокластеры, автоколебания тока, фоточувствительность, спектральная область.
Список литературы / References
- Bakhadyrkhanov M.K., Mavlyanov A.Sh., Sodikov U.Kh., Khakkulov M.K. Silicon with Binary Unit Cells as a Novel Class of Materials for Future Photoenergetics //Applied Solar Energy, 2015. Vol. 51. № 4. Рp. 258-261.
- Бахадырханов М.К., Зикриллаев Н.Ф., Хамидов А., Саъдуллаев А.Б. О концентрации электроактивных атомов элементов переходных групп в полупроводниках. //UZBEK JOUNAL OF PHYSIKS. Volume 2. Namber 3, 2000, Р. 221-225.
- Zikrillaev N.F., Sadullaev A.B. Power spectra of impurity in semiconductors in the condition of strong compensation.//SSP-2004. 8-th International Conference SOLED STATE PHYSICS, August 23-26, 2004. Almaty. Kazakhstan Abstracts Almaty-2004. Рp-254-255.
- Бахадирханов М.К., Валиев С.А., Насриддинов С.С., Эгамов У. Особенности термических свойств сильнокомпенсированного Si<B,Mn>. // Неорганические материалы. Т. 45. № 11. Ноябрь, 2009. Стр. 1291-1293.
- Саъдуллаев А.Б. Особенности комплексообразования между примесными атомами марганца и кислорода в кремнии. //«Молодой учёный». № 12, 2014. С. 50-52.
Ссылка для цитирования данной статьи
Тип лицензии на данную статью – CC BY 4.0. Это значит, что Вы можете свободно цитировать данную статью на любом носителе и в любом формате при указании авторства. | ||
Cсылка для цитирования на русском языке. Саъдуллаев А.Б., Умиров А.П., Бобакулов Ф.А. ВЛИЯНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ НАНОКЛАСТЕРОВ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ МАРГАНЦА НА ПАРАМЕТРЫ АВТОКОЛЕБАНИЯ ТОКА // European science № 6(48), 2019. C. {см. журнал} |
Поделитесь данной статьей, повысьте свой научный статус в социальных сетях
Tweet |